4月21日，据外电报道， 英特尔与美光科技上周宣布推出为NAND闪存开发的新20nm制程技术，这项技术用于生产8GB多级单元NAND闪存组件，可为智能型手机与平板计算机提供高容量、体积小，但有如固态硬盘储存的解决方案。
英特尔与美光科技合作推出新制程技术，让智慧手机、平板计算机中的闪存容量更大、体积更小，今年下半年可能推出小于美国邮票，却有128GBs储存容量的样品。
英特尔也在与美光合资的闪存公司IMFT官方网站上表示，20nm制程8GB快闪存储元件目前正在取样，2011年下半年有望进入大规模生产；届时，英特尔与美光公司希望能推出16GB组件样品，可以提供小于美国邮票，却有128GBs容量的固态储存解决方案。
这次宣布的20nm制程是以原来的25nm制程基础加以改善。英特尔表示，未来还会在制程技术上持续开发越来越微小的技术。